氮化硅干法刻蝕工藝設備模型的試驗與測量_

李煜,李瑞偉,紀民-《微電子學》-2005-被引量:3[####]摘　要: 通過對氮化硅薄膜干法刻蝕工藝實驗結果的測量,得到硅片表面非均勻性分布的具體測量數據,并對這種現象的成因進行了定性的理論分析,為下一步建立刻蝕工藝設備模...[/####] 設備氮化硅軸承_設備氮化硅軸承價格_設備氮化硅軸承批..._

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【氮化硅陶瓷面板】450X12000,價格,廠家,供應商,造紙設備..._阿土伯

2018年8月2日-陶瓷脫水面板專用生產設備3組,激光測繪設備一套,大型...有關【氮化硅陶瓷面板】的信息/圖片/參數由阿土伯...

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PECVD系統原理圖結構 PECVD氮化硅覆膜制造 PECVD設備加工,專業技能培訓,這里云集了眾多的供應商,采購商,制造商。這是PECVD系統原理圖結構 PECVD氮化硅覆膜...

生產設備_褐鐵選礦設備 氮化硅生產設備 詞篩選設備 -

褐鐵選礦設備 氮化硅生產設備 詞篩選設備,破碎機,這里云集了眾多的供應商,采購商,制造商。這是褐鐵...

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昆山特豐機電設備有限公司是專業致力于熱能產品--HOPE燃燒器的研究和推廣,是一家集產品銷售,項目改造及技術...

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氮化硅立式爐硬件改造提升顆粒表現_

彭新華,潘昭海,江冰松-《設備管理與維修》-2017[####]摘　要: 氮化硅工藝的特點以及立式爐各個系統的工作原理。分析氮化硅立式爐顆粒頻繁超標的問題,通過設備改造來提升機臺顆粒表現,同時總結了近幾年的設備使用以及維護...[/####] 【】形成高質量低溫氮化硅層的方法和設備_

A··陳,E·A·C·桑切斯,S·-CN[####]形成高質量低溫氮化硅層的方法和設備CNdoi:CN BA··陳E·A·C·桑切斯S·...[/####] 氮化硅反應燒結設備PLC自動控制_

李愛平,周文君,高汶棟-《中國陶瓷》-1996-被引量:1[####]本文通過對氮化硅反應燒結設備的可編程控制,說明可編程控制技術是材料學科的一個重要應用方向。[/####] 低壓燃燒合成氮化硅或氮化硅鐵的方法及設備-有機硅氟資訊2003年12...

低壓燃燒合成氮化硅或氨化硅鐵的方法及設備。本發明涉及無機非金屬材料的制備方法。本發明以硅粉或硅鐵粉為原料,加入稀釋劑氮化硅或氨化硅鐵細粉制成配合料,在立式...

一文看懂氮化硅陶瓷_社會_網

2018年4月26日-1. 產品性質 1)組成和結構 氮化硅分子式為Si3N4,屬于共價鍵結合的化合物,氮化硅陶瓷屬多晶材料,晶體結構屬六方晶系,一般分為α、β兩種晶向,均...

【】形成高質量的低溫氮化硅膜的方法和設備_

A·陳,E·A·C·桑柴茲,S·-2009-被引量:1[####]本發明提供一種形成氮化硅膜的方法。根據本發明,通過對含硅/氮源氣體或者含硅源氣體和含氮源氣體進行熱分解來在低沉積溫度(例如小于550℃)下沉積氮化硅膜,以形成氮化硅膜...[/####] PECVD氮化硅技術_

陳永興,許春芳-《微電子學與計算機》-1986-被引量:3[####]該設備由華東師范大學、上海元件陳永興華東師范大學許春芳華東師范大學電子系《微電子學與計算機》陳永興,許春芳.PECVD氮化硅技術[J]. 微電子學與計算機.1986(...[/####] 機械氮化硅_機械氮化硅價格_優質機械氮化硅批發/采購 -

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提高LPCVD和PECVD設備淀積的氮化硅應力膜應力大小的方式_

2016年3月11日-◆LPCVD 設備淀積的氮化硅膜為張應力,設備可調節的量包括:淀積 時的溫度、淀積時的壓強、氣體量(總的反應氣體量和反應氣體組分 比例) 。 ? 來自國外的...

高性能AlGaN/GaN HEMT與AIN /氮化硅鈍化_

譚鑫,呂元杰,顧國棟-《Journal of Semiconductors》-2015[####]直流特性表明,在氮化鋁/氮化硅鈍化設備很小的氮化硅鈍化的設備相比高溫漏電流和跨導降解溫度依賴性,表明AlN鈍化實驗提高了AlGaN/GaN HEMT高溫作業。譚鑫呂元杰...[/####] 氮化硅

氮化硅,八方資源網云集了眾多的供應商,采購商,制造商。這是供應 氮化硅 的詳細頁面。氮化硅產品性能參數: 氮化硅陶瓷粉末由于具有良好的力學性能、化學穩定性、低...

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[1-BG32421] 低壓燃燒合成氮化硅或氮化硅鐵的方法及設備 [技術摘要]低壓燃燒合成氮化硅或氮化硅鐵的方法...

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